主要用途
主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。
由于本機有特殊的找平機構,使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適用非圓形基片和小型基片的曝光。
工作方式
本機為一次性光刻曝光
主要技術指標
1、配置一件承片臺(承片臺具體尺寸可根據(jù)用戶需求制造)
2、曝光頭(采用高均勻性多點光源曝光頭)
*出射光斑≤230mm;350W(高壓直流汞燈)
*光的不均勻性在φ230mm范圍內≤±8%;
*實現(xiàn)真空密著條件下曝光。
*光的強度可通過X、Y、Z進行調節(jié),曝光時間,通過0.1~999.9秒時間繼電器設定;
*汞燈位置調節(jié)可通過精密的x、y、z調節(jié)裝置調節(jié),調節(jié)量為x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米;
*具有風扇冷卻裝置。
3、分辨率≥2μm 。
4、具備真空吸片功能。
5、具有真空密著和反吹氣的功能,通過調節(jié)密著真空的大小可以實現(xiàn)硬接觸曝光(密著真空≤-0.05 Mpa)、軟接觸曝光(密著真空在-0.05Mpa~-0.02Mpa之間)和微力接觸曝光(密著真空≥-0.02Mpa)。