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主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。
二、工作方式
本機(jī)采用版—版對(duì)準(zhǔn)雙面同時(shí)曝光
三、主要構(gòu)成
主要由高精度特制的翻版機(jī)構(gòu)、雙視場(chǎng)CCD顯微顯示系統(tǒng)、二臺(tái)多點(diǎn)光源式曝光頭、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、防震工作臺(tái)等組成。
四、主要功能特點(diǎn)
1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片的對(duì)準(zhǔn)曝光。
2.結(jié)構(gòu)先進(jìn)
該機(jī)為雙面接觸式光刻機(jī)，特制的翻版機(jī)構(gòu)，能消除基片楔形誤差，保障上、下二塊掩膜版對(duì)基片上、下兩面良好的接觸，從而保障基片上、下兩面的曝光質(zhì)量。
3.操作簡(jiǎn)便
采用手動(dòng)方式；特制的翻版機(jī)構(gòu)
4.可靠性高
采用進(jìn)口電磁閥、按鈕、定時(shí)器；真空管路系統(tǒng)和精密的零件加工，使本機(jī)具有非常高的可靠性。
五、主要技術(shù)指標(biāo)
1、曝光類(lèi)型：?jiǎn)蚊鎸?duì)準(zhǔn)雙面曝光
2、曝光面積：≥φ100mm
3、曝光不均勻性：≤±4%
4、曝光強(qiáng)度：≥5mw/cm2
5、曝光分辨率：≤2μm
6、曝光模式：雙面同時(shí)曝光
7、對(duì)準(zhǔn)精度：上版與下版的對(duì)準(zhǔn)精度≤5μm
8、對(duì)準(zhǔn)范圍：X:±5mm Y:±5mm
9、旋轉(zhuǎn)范圍：Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≥±5°
10、顯微系統(tǒng)：雙視場(chǎng)CCD系統(tǒng)，物鏡0.7X～4.5X，計(jì)算機(jī)圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；
11、掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″
12、基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
13、基片厚度：≤5 mm
14、曝光燈功率：直流2×350W
15、曝光定時(shí)：0～999.9秒可調(diào)
16、電源：?jiǎn)蜗郃C 220V 50Hz功耗≤1kW
17、潔凈壓縮空氣壓力：≥0.4Mpa
18、真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa
19、尺寸：900×700×1500 (L×W×H)mm；
20、重量：～150kg
