01 什么是第三代半導(dǎo)體？
第三代半導(dǎo)體以碳化硅以及氮化鎵為代表，則可應(yīng)用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領(lǐng)域。主要應(yīng)用：高溫、高頻、抗輻射、大功率器件；藍、綠、紫光二極管、半導(dǎo)體激光器 更優(yōu)的電子遷移率、帶隙、擊穿電壓、高頻、高溫特性。
02 碳化硅材料市場現(xiàn)狀
目前SiC晶片（包括照明用SiC）市場主要由美、歐、日主導(dǎo)，其中Cree在2018年占比超過62%，加上II-VI、Si-Crystal后市場份額達到90%，所以目前，美、歐、日廠商在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中較為領(lǐng)先，其中美國廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。并非說國內(nèi)彎道超車，人家也玩得很好。
03 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈
02 碳化硅材料市場現(xiàn)狀
目前SiC晶片（包括照明用SiC）市場主要由美、歐、日主導(dǎo)，其中Cree在2018年占比超過62%，加上II-VI、Si-Crystal后市場份額達到90%，所以目前，美、歐、日廠商在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中較為領(lǐng)先，其中美國廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。并非說國內(nèi)彎道超車，人家也玩得很好。
SiC器件價值鏈可分為襯底——外延——晶囿——器件，其中襯底所占的成本高為50%。主要原因單晶生長緩慢丏品質(zhì)丌夠穩(wěn)定，并且這也使得是SiC價格高，沒有得到廣泛的推廣。
半導(dǎo)電型SiC襯底以n型襯底為主，主要用亍外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件等，半絕緣型SiC襯底主要用亍外延制造GaN高功率射頻器件。
半導(dǎo)電型SiC襯底以n型襯底為主，主要用亍外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件等，半絕緣型SiC襯底主要用亍外延制造GaN高功率射頻器件。